OVTI、Si基板の裏側から集光するCMOSセンサ設計技術を開発

米OmniVision Technologies（OVTI）は5月27日、Si基板の裏側から集光を行うバックサイドイルミネーション（BSI）を用いたCMOSセンサの新アーキテクチャ「OmniBSI」を発表した。従来のセンサ表面からの集光では、絶縁体や金属多重層により、感光部に到達する光量が減少するが、BSIでは絶縁体・金属多重層をセンサの下側に置くことで、入射光を直接画素に取り込める。これにより、BSIによる1.4μmピッチ品で従来タイプの1.75μmピッチ品を上回る性能を実現している。OmniBSIは、製造ファンドリーおよび開発パートナーのTaiwan Semiconductor Manufacturing（TSMC）の支援を受けて開発された。詳細は http://www.ovt.com