富士通/富士通研、世界最高耐圧のGaN HEMTを実用化

富士通と富士通研究所は10月23日、ミリ波帯の送信用増幅器に適したGaN HEMTにおいて、実用レベルの耐圧を得ることに成功したと発表した。GaN HEMTの結晶構造とゲート形状を改良し、190Vの電圧を掛けても壊れないことを検証し、世界で初めて実用レベルの耐圧が得られた。今後、2010年頃の実用化を目標に開発を行っていく。