IMEC/Riber、22nmノード以降のGe/化合物半導体技術を共同開発

ベルギーIMECと仏Riberは5月17日、22nmノード以降のGeおよびIII-V族化合物半導体向け技術を共同開発すると発表した。IMECの共同開発プログラム「IMEC'sIndustrial Affiliation Program（IIAP）」の一環で、両社はRiberの200mm向け超高真空MBE装置を使用し、高性能CMOSプロセスを開発していく。同技術によりIMECは、GeOI基板でのnMOSトランジスタの作製を目指す。
詳細は http://www.imec.be