NECエレ、40nm DRAM混載システムLSIのプロセス技術を開発

　NECエレクトロニクスは、40nmの加工技術を用いたシステムLSIに最大256メガビットのDRAMを混載することができるDRAM混載システムLSIプロセス技術を開発。同プロセスにおいてロジック部で最速800MHzの処理速度と低消費電力を両立する低動作電力用「UX8GD」、同容量のSRAMを混載した場合に消費電力が1/3程度となる低リーク電流用「UX8LD」の2種類のプロセスを開発した。
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