Tehrani氏、「MRAMはSRAM代替で展開」

米Freescale Semiconductor MRAM and SMARTMOS Technology DirectorのSaied Tehrani氏は9月13日、今後のMRAMの事業戦略について語った。2006年7月に世界で初めて4M MRAMを製品化し、すでに40社以上にサンプル出荷、数社が採用を決定しているという。4M MRAMは0.18μmプロセスを採用、同社独自の「Toggl方式」により、MRAMの課題であるばらつきを大幅に低減している。同社ではMRAMの持つ高速かつ高信頼性という特徴を生かして、当面はバッテリーバックアップタイプのSRAM代替を狙っていく。製品ロードマップとしては、2007年第1四半期に動作温度範囲を現在の0〜70℃から−40〜105℃に広げた産業用4M品を投入、その後−40〜150℃に広げた車載向け4M品を投入する予定。この他、SoCへの組み込みも計画しており、開発を進めている。
微細化については、0.13μmをスキップして90nmに移行する計画だが、数年後になるとしている。フラッシュメモリやDRAM代替については、「大容量メモリではコストが最も重要となる。MRAMの優れた特性を十分に生かせる高付加価値分野に特化していく」（同氏）と述べた。（成沢誠）