米TI，45nm製造技術の携帯電話向けチップを2007年にサンプル出荷へ

http://itpro.nikkeibp.co.jp/article/USNEWS/20060613/240719/

　米Texas Instruments（TI）は，45ナノメートル（nm）の製造技術を用いた携帯電話向けチップを2007年にサンプル出荷する。同社が米国時間6月12日に明らかにした。同製造プロセスでは，液浸リソグラフィ技術を導入することにより1枚のシリコン・ウエーハ上で製造できるチップの数が倍増するという。

　同社によれば，同製造技術によるシステム・オン・チップ（SoC）は，消費電力が40％少なく，性能は30％向上する。携帯電話やDSP（digital signal processor）向けに性能，消費電力，トランジスタ密度を調整していく方針だという。

　また，同社は45nmプロセスで液浸リソグラフィ技術を利用して0.24平方ミクロンのSRAMメモリセルの作成に成功したことを明らかにしている。これまでに競合会社が発表した製品と比べて30％程小さい。

　45nmチップの製造は，テキサス州ダラスの製造施設「DMOS6」で行なわれる。同社は，低消費電力のASIC向け設計ライブラリを年内にリリースする。製造業者へのサンプル出荷を2007年に行い，2008年中旬に量産体制に入る予定。

http://focus.ti.com/docs/pr/pressrelease.jhtml?prelId=sc06117