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三洋が貫通電極付きデバイス試作，ウエハー・サポート・システムを東京応化と開発
三洋電機と東京応化工業は，半導体チップの上面から下面にかけて開けた微小な貫通穴にビアを形成し，上下のチップ間を電気的に接続する，いわゆる「Si貫通電極」の形成を容易化するウエハー・サポート・システムを共同開発した。
三洋電機は，今回これら一連の技術を用いたSi貫通電極付きデバイスの試作に成功したという。三洋電機のプロセスは，1999〜2004年に実施された超先端電子技術開発機構（ASET）の「超高密度電子SIプロジェクト」での同社の取り組みを基に開発したもの。通常ウエハー表面から形成することの多い貫通ビアをウエハー裏面から形成する点に特徴があり，CCDの実装などに適用できるという。
