【パワーエレクトロニクス】SiC半導体デバイスを搭載したハイパワーモジュールを開発

　ローム（株）は、（株）本田技術研究所と共同で、SiC-SBD、SiC-MOSFETを搭載した
1200V・230A（280kVA相当）クラスの次世代電気動力車向けハイパワーインバータモジ
ュールを開発した。両社は今回、ロームのSiCデバイス技術と本田技術研究所のハイパ
ワーモジュール技術を融合させることにより、フルSiCデバイスによるハイパワーイン
バータモジュールを実現。同モジュールの機能は、コンバータ回路（1相）とインバー
タ回路（3相）を1パッケージに搭載し、小型化を実現した。
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http://www.gicho.jp/cgi/gmaga/gmaga.cgi?20080918-02