45nm以降の製造プロセスにHigh-k材料を採用

米Texas Instruments（TI）は6月13日、45nm以降の製造プロセスにHigh-k材料を採用すると発表した。使用するHigh-k材料はHfSiONで、SiO2によるゲート絶縁膜に比べて単位面積当たりのリーク電流を1/30に削減でき、45/32nmプロセスの両方において高性能・低消費電力製品の供給が可能となる。45nmプロセスを用いた携帯電話向けチッ
プ製品のサンプル出荷は2007年中、製造認定の完了と量産開始は2008年中頃を予定している。詳細は http://www.tij.co.jp