書き込み電流が100μAと小さいPRAM技術を日立とルネサスが開発

　日立製作所とルネサステクノロジは共同で、書き込み電流が100μAと小さく、書き込み電圧が1.5Vと低い相変化メモリー（PRAM）技術を開発した。しかもこの技術を利用することで、製造プロセスの歩留まりを高めることもできるという。2006年12月11日〜13日の日程で米国サンフランシスコで開催中の「IEDM 2006」で発表する。
http://www.eetimes.jp/contents/200612/13475_1_20061211183916.cfm

ルネサス，45nm世代のSoC向け低コストCMOS技術を開発
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20061212/125332/