MRAM

●多層化・スピン技術がMRAMをこう変える
　1月30日から開催の「第4回半導体メモリー・シンポジウム」では，MRAM（magneto
resistive RAM）に関して，3次元実装技術のベンチャザイキューブが講演する。講演する同社仙台開発センター長先行技術開発部長の元吉真氏は，かつてソニーに在籍しMRAMの研究で知られた技術者である。
→ http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20060112/112291/