MRAM

ＭＲＡＭの大容量化が可能に・米ジョンズホプキンス大
　米ジョンズホプキンス大学の研究グループは、次世代メモリーとして期待されているＭＲＡＭ（磁性記録式随時書き込み読み出しメモリー）の大容量化につながる新技術を開発した。ＭＲＡＭは記録した情報の書き換え可能回数がほぼ無限なうえ、記録速度も速いといった特徴がある。大容量化が難しいことがこれまでの課題とされていたが、新技術で実用化が近づく可能性がある。

　研究グループは、コバルトやニッケルで直径100ナノ（ナノは10億分の１）メートルのリングを作製し、これをメモリーの記録単位である「セル」に使った。このセル同士では磁気の干渉が起きにくい。高密度にセルを配置することが可能になり、大容量の情報を記録できる。