MRAM

●ルネサスが65nm MRAMの開発に着手，スピン注入方式を本命視
　ルネサス テクノロジは，データ書き込み電流を既存の手法に比べて削減できる「スピン注入磁化反転」技術を利用したMRAM（magnetoresistive RAM）の開発に乗り出す。65nm以降のプロセスで作製するMRAMに導入し，車載用MCUやSoC（system on a chip）向けの混載メモリーとして，今後5年以内の製品化を目指す。スピン注入磁化反転技術のIPベンダーである米Grandis, Inc.から基礎技術のライセンス供与を受け，共同で開発を行う。
→ http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20051201/111279/