画素ピッチ1.4μmで，1/3型800万画素の裏面照射CMOSセンサをOmniVisionが開発

http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20080925/158463/

【半導体】OmniVision、2009年Q1に裏面照射型CMOSセンサを発売
米OmniVision Technologies Japan Office シニアセールスマネージャーの田島剛氏
は9月24日、弊誌主催のElectronic Journal第187回Technical Symposium「2008
CCD/CMOSイメージセンサ★徹底検証」において、Si基板の裏側から集光を行うバック
サイドイルミネーション（BSI）を用いたCMOSセンサの新アーキテクチャ「OmniBSI」
について語った。従来のフロントサイドイルミネーション（FSI）では、受光部が形
成された基板上に配線やトランジスタを形成するため開口率は50〜60％程度だったが、
基板裏面から光を照射させるため、金属配線やトランジスタでの光の反射や遮断がな
く、開口率は理論的には100％になる。同じ光量でも明るい画像が取得できるため、
OmniVisionでは携帯電話向けの画素ピッチ1.4μm以降の製品に導入する。この他、
BSI技術の利点として、基板の裏面を研削でき配線層を増やしてもセンサ全体の高さ
はFSIより薄厚化できることや、画質面ではRGBクロストークが減りカラーバランスが
向上することなどを挙げた。現在、製造・開発パートナーのTaiwan Semiconductor
Manufacturing（TSMC）の支援を受けて開発中。サンプル出荷中で、2009年第1四半期
に500万画素品の「QV5642」、2009年第2四半期に800万画素品の「OV8810/8812」を発
売する予定。会場では、同製品によるサンプル画像も公開した。（森本淳一）

【半導体】OVTI、1/3型800万画素CMOSイメージセンサを発表
米OmniVision Technologies（OVTI）は9月23日、世界初となる1/3型800万画素CMOSイ
メージセンサ「OV8810」を発表した。超薄型高性能カメラ付き携帯電話向け。基板の
裏側から集光するバックサイドイルミネーションを採用した1.4μmピッチの設計技術
「OmniBSI」を用いた、初の「CameraChip」製品。OmniBSIは、バックサイドイルミネー
ションにより高感度化することに加え、色再現性を向上させている。2009年第1四半
期より量産を開始する予定。詳細は http://www.ovt.com